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IRF1018ESLPBF

IRF1018ESLPBF
Mfr. #:
IRF1018ESLPBF
Hersteller:
Infineon / IR
Beschreibung:
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRF1018ESLPBF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRF1018ESLPBF DatasheetIRF1018ESLPBF Datasheet (P4-P6)IRF1018ESLPBF Datasheet (P7-P9)IRF1018ESLPBF Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-262-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
79 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
8.4 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
46 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
110 W
Aufbau:
Single
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.45 mm
Länge:
10.2 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Infineon / IR
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
110 S
Abfallzeit:
46 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
35 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
13 ns
Teil # Aliase:
SP001550908
Gewichtseinheit:
0.073511 oz
Tags
IRF1018ES, IRF1018, IRF101, IRF10, IRF1, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
*** Source Electronics
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube / MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
***ineon SCT
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
***ment14 APAC
MOSFET, N, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:79A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:79A; Package / Case:TO-262; Power Dissipation Pd:110W; Pulse Current Idm:315A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRF1018ESLPBF
DISTI # IRF1018ESLPBF-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 79A TO-262
RoHS: Compliant
Min Qty: 3200
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IRF1018ESLPBF
    DISTI # IRF1018ESLPBF    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: IRF1018ESLPBF)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 4000    		Asia - 0
      IRF1018ESLPBF
      DISTI # 70018159      		Infineon Technologies AGIRF1018ESLPBF N-channel MOSFET Transistor,79 A,60 V,3-Pin TO-262
      RoHS: Compliant      		0
      • 3200:$0.8400
      IRF1018ESLPBF
      DISTI # IRF1018ESLPBF      		Infineon Technologies AGTransistor: N-MOSFET,unipolar,60V,79A,110W,TO262125
      • 100:$0.9500
      • 10:$1.0200
      • 3:$1.1100
      • 1:$1.2800
      IRF1018ESLPBFInternational Rectifier 
      RoHS: Compliant      		800
        IRF1018ESLPBF
        DISTI # 1602224        		Infineon Technologies AG 
        RoHS: Compliant        		0
        • 1000:$1.8100
        • 500:$2.0400
        • 100:$2.2800
        • 10:$2.8200
        • 1:$3.4200
        Bild Teil # Beschreibung
        IRF1010NPBF

        Mfr.#: IRF1010NPBF

        OMO.#: OMO-IRF1010NPBF

        		 MOSFET MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
        IRF1010ESTRLPBF-CUT TAPE

        Mfr.#: IRF1010ESTRLPBF-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-IRF1010ESTRLPBF-CUT-TAPE-1190

        		 Neu und Original
        IRF1010EZ

        Mfr.#: IRF1010EZ

        OMO.#: OMO-IRF1010EZ-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
        IRF1018ESTRLPBF.

        Mfr.#: IRF1018ESTRLPBF.

        OMO.#: OMO-IRF1018ESTRLPBF--1190

        		 N CH MOSFET, HEXFET, 60V, 79A, D2PAK
        IRF1010EPBF

        Mfr.#: IRF1010EPBF

        OMO.#: OMO-IRF1010EPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
        IRF1010EPBF-M

        Mfr.#: IRF1010EPBF-M

        OMO.#: OMO-IRF1010EPBF-M-1190

        		 Neu und Original
        IRF1010ESPBF

        Mfr.#: IRF1010ESPBF

        OMO.#: OMO-IRF1010ESPBF-1190

        		 MOSFET, 60V, 83A, 12 MOHM, 86.6 NC QG, D2-PAK
        IRF1010EZL

        Mfr.#: IRF1010EZL

        OMO.#: OMO-IRF1010EZL-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
        IRF1010EZLPBF.

        Mfr.#: IRF1010EZLPBF.

        OMO.#: OMO-IRF1010EZLPBF--1190

        		 Neu und Original
        IRF1010NSTRLPBF

        Mfr.#: IRF1010NSTRLPBF

        OMO.#: OMO-IRF1010NSTRLPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 Darlington Transistors MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        4500
        Menge eingeben:
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