DMN3190LDW-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

190 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

320 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN31

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

700 nS

Abfallzeit:

15.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.9 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

DMN319, DMN31, DMN3, DMN