2N5401ZL1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

150 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

160 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.6 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

300 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Verpackung:

Munitionspackung

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.6 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N5401Z, 2N5401, 2N540, 2N54, 2N5