DMT10H015LSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

16 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

33.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.95 mm

Serie:

DMT10

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.95 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

8.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.5 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMT10H015L, DMT10H015, DMT10H01, DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT