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IXFL38N100P

IXFL38N100P
Mfr. #:
IXFL38N100P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 38 Amps 1000V 0.21 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFL38N100P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFL38N100P DatasheetIXFL38N100P Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFL38N100P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-264-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1 kV
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
230 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
520 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
26.42 mm
Länge:
20.29 mm
Serie:
IXFL38N100
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.21 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
40 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
55 ns
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
71 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
74 ns
Gewichtseinheit:
0.264555 oz
Tags
IXFL3, IXFL, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFL38N100P
DISTI # IXFL38N100P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 25:$22.9636
IXFL38N100P
DISTI # 747-IXFL38N100P		IXYS CorporationMOSFET 38 Amps 1000V 0.21 Rds
RoHS: Compliant		740
  • 1:$24.5600
  • 5:$23.3300
  • 10:$22.7200
  • 25:$20.8800
  • 50:$19.9900
  • 100:$19.4000
  • 250:$17.8100
Bild Teil # Beschreibung
IXFL38N100P

Mfr.#: IXFL38N100P

OMO.#: OMO-IXFL38N100P

 MOSFET 38 Amps 1000V 0.21 Rds
IXFL30N120P

Mfr.#: IXFL30N120P

OMO.#: OMO-IXFL30N120P

 MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds
IXFL38N100Q2

Mfr.#: IXFL38N100Q2

OMO.#: OMO-IXFL38N100Q2

 MOSFET Q2-Class HiperFET 1000, 22A
IXFL32N120P

Mfr.#: IXFL32N120P

OMO.#: OMO-IXFL32N120P

 MOSFET 32 Amps 1200V
IXFL39N90

Mfr.#: IXFL39N90

OMO.#: OMO-IXFL39N90-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
IXFL34N100

Mfr.#: IXFL34N100

OMO.#: OMO-IXFL34N100-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 34 Amps 1000V 0.28W Rds
IXFL30N120P

Mfr.#: IXFL30N120P

OMO.#: OMO-IXFL30N120P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
IXFL32N120P

Mfr.#: IXFL32N120P

OMO.#: OMO-IXFL32N120P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 32 Amps 1200V
IXFL38N100P

Mfr.#: IXFL38N100P

OMO.#: OMO-IXFL38N100P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 38 Amps 1000V 0.21 Rds
IXFL38N100Q2

Mfr.#: IXFL38N100Q2

OMO.#: OMO-IXFL38N100Q2-IXYS-CORPORATION

 MOSFET Q2-Class HiperFET 1000, 22A
Verfügbarkeit
Aktie:
740
Auf Bestellung:
2723
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Der aktuelle Preis von IXFL38N100P dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
24,56 $
24,56 $
5
23,33 $
116,65 $
10
22,72 $
227,20 $
25
20,88 $
522,00 $
50
19,99 $
999,50 $
100
19,40 $
1 940,00 $
250
17,81 $
4 452,50 $
500
16,95 $
8 475,00 $
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