TH58BVG2S3HBAI6

TH58BVG2S3HBAI6
Mfr. #:
TH58BVG2S3HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58BVG2S3HBAI6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
VFBGA-67
Speichergröße:
4 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
512 M x 8
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Marke:
Toshiba-Speicher
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
338
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58BVG2S3HB, TH58BVG2, TH58BV, TH58B, TH58, TH5
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Bild Teil # Beschreibung
TH58BVG2S3HTA00

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OMO.#: OMO-TH58BVG2S3HTA00

NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG2S3HTAI0

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NAND Flash 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG2S3HBAI4

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NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG3S0HTA00

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EEPROM 8 Gbit CMOS NAND EEPROM
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EEPROM 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TH58BVG2S3HTA00(B4H)

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Neu und Original
TH58BVG2S3HTA00_REEL

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NAND Flash Memory (Alt: TH58BVG2S3HTA00_REEL)
TH58BVG2S3HTA00_TRAY

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NAND Flash Memory (Alt: TH58BVG2S3HTA00_TRAY)
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Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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1014
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2704
3,43 $
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