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TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4
Mfr. #:
TH58BVG2S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58BVG2S3HBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TFBGA-63
Speichergröße:
4 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
512 M x 8
Timing-Typ:
Synchron
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
3.6 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Produkt:
Nand Flash
Geschwindigkeit:
25 ns
Die Architektur:
Block löschen
Marke:
Toshiba-Speicher
Maximale Taktfrequenz:
-
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58BVG2S3HB, TH58BVG2, TH58BV, TH58B, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
    O***v
    O***v
    RU

    +

    2019-07-15
    I***o
    I***o
    RU

    Good item, long delivery.

    2019-07-31
***et
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EEPROM) 2K PAGE
***ronik
BENAND-Flash 512Mx8 3.3V BGA63
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TH58BVG2S3HBAI4
DISTI # TH58BVG2S3HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$5.7350
TH58BVG2S3HBAI4
DISTI # TH58BVG2S3HBAI4		Toshiba America Electronic Components4GB SLC BENAND24NM BGA9X11(EEPROM) 2K PAGE - Trays (Alt: TH58BVG2S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$4.7900
  • 420:$4.6900
  • 840:$4.5900
  • 1260:$4.5900
  • 2100:$4.3900
TH58BVG2S3HBAI4
DISTI # 757-TH58BVG2S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		0
  • 210:$5.7400
  • 420:$5.2800
  • 630:$4.8100
  • 1050:$4.1900
Bild Teil # Beschreibung
TH58BVG2S3HTAI0

Mfr.#: TH58BVG2S3HTAI0

OMO.#: OMO-TH58BVG2S3HTAI0

 NAND Flash 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG3S0HTA00

Mfr.#: TH58BVG3S0HTA00

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTA00

 NAND Flash 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG3S0HTAI0

Mfr.#: TH58BVG3S0HTAI0

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTAI0

 NAND Flash 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG3S0HTA00

Mfr.#: TH58BVG3S0HTA00

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTA00-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 8 Gbit CMOS NAND EEPROM
TH58BVG2S3HTAI0

Mfr.#: TH58BVG2S3HTAI0

OMO.#: OMO-TH58BVG2S3HTAI0-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TH58BVG2S3HBAI4

Mfr.#: TH58BVG2S3HBAI4

OMO.#: OMO-TH58BVG2S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE Benand
TH58BVG3S0HTAI0

Mfr.#: TH58BVG3S0HTAI0

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTAI0-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 Flash Memory 8 GBIT CMOS NAND EEPROM
TH58BVG2S3HTAIO

Mfr.#: TH58BVG2S3HTAIO

OMO.#: OMO-TH58BVG2S3HTAIO-1190

 Neu und Original
TH58BVG3S0HTA00-ND

Mfr.#: TH58BVG3S0HTA00-ND

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTA00-ND-1190

 Neu und Original
TH58BVG3S0HTAI0-ND

Mfr.#: TH58BVG3S0HTAI0-ND

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTAI0-ND-1190

 Neu und Original
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5,34 $
10
4,87 $
48,70 $
25
4,78 $
119,50 $
50
4,75 $
237,50 $
100
4,26 $
426,00 $
250
4,24 $
1 060,00 $
500
3,98 $
1 990,00 $
1000
3,81 $
3 810,00 $
2500
3,56 $
8 900,00 $
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