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DMN1019USN-13

DMN1019USN-13
Mfr. #:
DMN1019USN-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DMN1019USN-13 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Eingebaute Dioden
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
DMN10
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Gewichtseinheit
0.000282 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
SC-59
Aufbau
Single
FET-Typ
MOSFET N-Kanal, Metalloxid
Leistung max
680mW
Transistor-Typ
1 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
12V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
2426pF @ 10V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
9.3A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
800mV @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
50.6nC @ 8V
Pd-Verlustleistung
1.2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
16.8 ns
Anstiegszeit
57.6 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
9.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
12 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
0.53 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
41 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
22.2 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
7.6 ns
Qg-Gate-Ladung
50.6 nC
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
DMN1019US, DMN1019, DMN101, DMN10, DMN1, DMN
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
***et
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
***ure Electronics
N-CH 12V 9.3A SC59
***ark
Mosfet, N-Ch, 12V, 9.3A, Sc-59; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(On):0.007Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:530Mv; Power Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, N-CH, 12V, 9.3A, SC-59; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:530mV; Power Dissipation Pd:680mW; Transistor Case Style:SC-59; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
***nell
MOSFET, N-CH, 12V, 9.3A, SC-59; Biegunowość tranzystora:Kanał N; Prąd ciągły Id drenu:9.3A; Napięcie drenu / źródła Vds:12V; Rezystancja przewodzenia Rds(on):0.007ohm; Napięcie Vgs pomiaru Rds(on):4.5V; Napięcie progowe Vgs:530mV; Straty mocy Pd:680mW; Rodzaj obudowy tranzystora:SC-59; Liczba pinów:3piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:150°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:MSL 1 - nieograniczone; Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
DMN1019USN-13
DISTI # DMN1019USN-13DITR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
RoHS: Compliant
Min Qty: 10000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 10000:$0.1168
DMN1019USN-13
DISTI # DMN1019USN-13DICT-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.1493
  • 500:$0.1991
  • 100:$0.2903
  • 10:$0.4230
  • 1:$0.5400
DMN1019USN-13
DISTI # DMN1019USN-13DIDKR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.1493
  • 500:$0.1991
  • 100:$0.2903
  • 10:$0.4230
  • 1:$0.5400
DMN1019USN-13
DISTI # DMN1019USN-13		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R - Tape and Reel (Alt: DMN1019USN-13)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 10000
Container: Reel		Americas - 0
  • 10000:$0.0919
  • 20000:$0.0869
  • 40000:$0.0829
  • 60000:$0.0789
  • 100000:$0.0769
DMN1019USN-7
DISTI # 621-DMN1019USN-7		Diodes IncorporatedMOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
RoHS: Compliant		43527
  • 1:$0.4300
  • 10:$0.3250
  • 100:$0.1760
  • 1000:$0.1320
  • 3000:$0.1140
DMN1019USN-13
DISTI # 621-DMN1019USN-13		Diodes IncorporatedMOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
RoHS: Compliant		0
  • 10000:$0.1070
Bild Teil # Beschreibung
DMN1019UFDE-7

Mfr.#: DMN1019UFDE-7

OMO.#: OMO-DMN1019UFDE-7

 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
DMN1017UCP3-7

Mfr.#: DMN1017UCP3-7

OMO.#: OMO-DMN1017UCP3-7

 MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
DMN1019UVT-7

Mfr.#: DMN1019UVT-7

OMO.#: OMO-DMN1019UVT-7

 MOSFET 12V Enh Mode FET
DMN1019UVT-13

Mfr.#: DMN1019UVT-13

OMO.#: OMO-DMN1019UVT-13

 MOSFET 12V Enh Mode FET
DMN1016UCB6-7

Mfr.#: DMN1016UCB6-7

OMO.#: OMO-DMN1016UCB6-7

 MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A
DMN1019USN

Mfr.#: DMN1019USN

OMO.#: OMO-DMN1019USN-1190

 Neu und Original
DMN1019USN-7-F

Mfr.#: DMN1019USN-7-F

OMO.#: OMO-DMN1019USN-7-F-1190

 Neu und Original
DMN1016UCB6-7

Mfr.#: DMN1016UCB6-7

OMO.#: OMO-DMN1016UCB6-7-DIODES

 MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
DMN1019USN-7

Mfr.#: DMN1019USN-7

OMO.#: OMO-DMN1019USN-7-DIODES

 IGBT Transistors MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
DMN1019USN-13

Mfr.#: DMN1019USN-13

OMO.#: OMO-DMN1019USN-13-DIODES

 MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
3500
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Der aktuelle Preis von DMN1019USN-13 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
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ext. Preis
1
0,12 $
0,12 $
10
0,11 $
1,10 $
100
0,10 $
10,38 $
500
0,10 $
49,00 $
1000
0,09 $
92,30 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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