DMN2011UFDE-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

U-DFN2020-E-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

56 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.97 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN2011

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

13.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.6 ns

Tags

DMN2011UFD, DMN2011UF, DMN2011, DMN201, DMN20, DMN2, DMN