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SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7922DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET Dual N-Ch 100V 195 mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7922DN-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
IC-Chips
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
SI7922DN-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAKR 1212-8 Dual
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR 1212-8 Dual
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
1.3W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
100V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
1.8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
8nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
1.3 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
11 ns
Anstiegszeit
11 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
1.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
195 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
8 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
7 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7922DN-T, SI7922D, SI7922, SI792, SI79, SI7
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Dual N-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power MosFet - PowerPAK-1212-8
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
***ronik
DUAL 100V 3A 195mOhm PPAK
***
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S)
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:2500mA; Drain Source Voltage, Vds:100V; On Resistance, Rds(on):0.230ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3.5V; Power Dissipation, Pd:1.3W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7922DN-T1-GE3
DISTI # SI7922DN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 3000:$0.8465
SI7922DN-T1-GE3
DISTI # SI7922DN-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.9364
  • 500:$1.1302
  • 100:$1.4531
  • 10:$1.8080
  • 1:$2.0000
SI7922DN-T1-GE3
DISTI # SI7922DN-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.9364
  • 500:$1.1302
  • 100:$1.4531
  • 10:$1.8080
  • 1:$2.0000
SI7922DN-T1-GE3
DISTI # SI7922DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7922DN-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.8289
  • 6000:$0.8049
  • 12000:$0.7719
  • 18000:$0.7499
  • 30000:$0.7299
SI7922DN-T1-GE3
DISTI # 16P3880		Vishay IntertechnologiesDUAL N CH MOSFET, 100V, POWERPAK,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:2.5A,Drain Source Voltage Vds:100V,On Resistance Rds(on):0.23ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:20V,Threshold Voltage Vgs:3.5V RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.8440
  • 3000:$0.8380
  • 6000:$0.7980
  • 12000:$0.7070
SI7922DN-T1-GE3
DISTI # 781-SI7922DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.7800
  • 10:$1.4800
  • 100:$1.1400
  • 500:$0.9980
  • 1000:$0.9510
  • 3000:$0.9500
SI7922DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Americas -
    Bild Teil # Beschreibung
    SI7922DN-T1-E3

    Mfr.#: SI7922DN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7922DN-T1-E3

    		 MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
    SI7922DN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7922DN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7922DN-T1-GE3

    		 MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
    SI7922DN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7922DN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7922DN-T1-GE3-VISHAY

    		 IGBT Transistors MOSFET Dual N-Ch 100V 195 mohm @ 4.5V
    SI7922DN-T1-E3

    Mfr.#: SI7922DN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7922DN-T1-E3-VISHAY

    		 IGBT Transistors MOSFET DUAL N-CH 100V (D-S)
    SI7922DN-T1-E3-CUT TAPE

    Mfr.#: SI7922DN-T1-E3-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-SI7922DN-T1-E3-CUT-TAPE-1190

    		 Neu und Original
    SI7922DN

    Mfr.#: SI7922DN

    OMO.#: OMO-SI7922DN-1190

    		 MOSFET, DUAL, NN, POWERPAK
    SI7922DN-T1

    Mfr.#: SI7922DN-T1

    OMO.#: OMO-SI7922DN-T1-1190

    		 MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, LLCC
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1500
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von SI7922DN-T1-GE3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    1,02 $
    1,02 $
    10
    0,97 $
    9,69 $
    100
    0,92 $
    91,84 $
    500
    0,87 $
    433,70 $
    1000
    0,82 $
    816,40 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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