RS1E321GNTB1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

HSOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

42.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

34 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

28.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15.6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

74.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21.8 ns

Tags

RS1E32, RS1E3, RS1E, RS1