TK10A80W,S4X

TK10A80W,S4X
Mfr. #:
TK10A80W,S4X
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK10A80W,S4X Datenblatt
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ECAD Model:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220SIS-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
800 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
9.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
460 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
19 nC
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
40 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSIV
Serie:
TK10A80W
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
10 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
35 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
120 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
65 ns
Gewichtseinheit:
0.068784 oz
Tags
TK10A80W, TK10A8, TK10A, TK10, TK1
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
***i-Key
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
***
PWR MSFT TRANS TO-220SIS
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Bild Teil # Beschreibung
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10
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100
2,10 $
210,00 $
250
1,89 $
472,50 $
500
1,70 $
850,00 $
1000
1,43 $
1 430,00 $
2500
1,36 $
3 400,00 $
5000
1,31 $
6 550,00 $
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