Jantx2N3762

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-39-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.9 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.5 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

120

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

Jantx2N376, Jantx2N37, Jantx2N3, Jantx2, JANTX, JANT, JAN