APT17F100B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

17 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

670 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

150 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

625 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

POWER MOS 8

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.31 mm

Länge:

21.46 mm

Breite:

16.26 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

19 S

Abfallzeit:

28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

31 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

105 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

29 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

APT17F, APT17, APT1, APT