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IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2
Mfr. #:
IPB120N06S4H1ATMA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPB120N06S4H1ATMA2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IPB120N06S4H1ATMA2 DatasheetIPB120N06S4H1ATMA2 Datasheet (P4-P6)IPB120N06S4H1ATMA2 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
2.4 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
270 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
250 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Qualifikation:
AEC-Q101
Verpackung:
Spule
Höhe:
4.4 mm
Länge:
10 mm
Serie:
IPB120N06
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
9.25 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
15 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
5 ns
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
60 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
30 ns
Teil # Aliase:
IPB120N06S4-H1 IPB12N6S4H1XT SP001028782
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
IPB120N06S, IPB120N06, IPB120N0, IPB120N, IPB120, IPB12, IPB1, IPB
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N-CH, 60V, 175DEG C, 250W;
***ure Electronics
Single N-Channel 60 V 2.1 mOhm 270 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-263-3
***et
Transistor MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R
***ark
MOSFET, N-CH, 60V, 175DEG C, 250W ROHS COMPLIANT: YES
***nell
MOSFET, CAN-N, 60V, 175°C, 250W;
***i-Key
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
***ronik
N-CH 60V 120A 2,1mOhm TO263
***ineon
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 60V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPB120N06S4H1ATMA2
DISTI # IPB120N06S4H1ATMA2-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$1.5807
IPB120N06S4H1ATMA2
DISTI # IPB120N06S4H1ATMA2		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB120N06S4H1ATMA2)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel		Americas - 0
  • 1000:$1.3900
  • 2000:$1.3900
  • 4000:$1.2900
  • 6000:$1.2900
  • 10000:$1.2900
IPB120N06S4H1ATMA2
DISTI # SP001028782		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001028782)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 1000:€1.5900
  • 2000:€1.2900
  • 4000:€1.1900
  • 6000:€1.0900
  • 10000:€1.0900
IPB120N06S4H1ATMA2
DISTI # 726-IPB120N06S4H1ATM		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
RoHS: Compliant		2017
  • 1:$2.7200
  • 10:$2.3100
  • 100:$2.0100
  • 250:$1.9000
  • 500:$1.7100
  • 1000:$1.4400
IPB120N06S4-H1
DISTI # 726-IP726-B120N06S4H		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
RoHS: Compliant		0
    Bild Teil # Beschreibung
    RC1206FR-074R02L

    Mfr.#: RC1206FR-074R02L

    OMO.#: OMO-RC1206FR-074R02L

    		 Thick Film Resistors - SMD 4.02 OHM 1%
    3522100RFT

    Mfr.#: 3522100RFT

    OMO.#: OMO-3522100RFT

    		 Thick Film Resistors - SMD 3522 100R 1% 3W
    ERA-8AEB202V

    Mfr.#: ERA-8AEB202V

    OMO.#: OMO-ERA-8AEB202V

    		 Thin Film Resistors - SMD 1206 2.0Kohm 0.1% 25ppm
    C0402C101J1HACTU

    Mfr.#: C0402C101J1HACTU

    OMO.#: OMO-C0402C101J1HACTU

    		 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 100V 100pF X8R 0402 5%
    ERA-8AEB202V

    Mfr.#: ERA-8AEB202V

    OMO.#: OMO-ERA-8AEB202V-PANASONIC

    		 Thin Film Resistors - SMD 1206 2.0Kohm 0.1% 25ppm
    LTST-C191KGKT

    Mfr.#: LTST-C191KGKT

    OMO.#: OMO-LTST-C191KGKT-LITE-ON

    		 Standard LEDs - SMD Green Clear 571nm
    CRCW06030000Z0EAHP

    Mfr.#: CRCW06030000Z0EAHP

    OMO.#: OMO-CRCW06030000Z0EAHP-VISHAY-DALE

    		 Thick Film Resistors - SMD 1/4watt Zeroohms High Powe
    C0402C101J1HACTU

    Mfr.#: C0402C101J1HACTU

    OMO.#: OMO-C0402C101J1HACTU-KEMET

    		 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 100volts 100pF +/-5% X8R
    RC1206FR-074R02L

    Mfr.#: RC1206FR-074R02L

    OMO.#: OMO-RC1206FR-074R02L-YAGEO

    		 Thick Film Resistors - SMD 4.02 OHM 1%
    RG2012P-121-B-T5

    Mfr.#: RG2012P-121-B-T5

    OMO.#: OMO-RG2012P-121-B-T5-SUSUMU

    		 Thin Film Resistors - SMD 1/8W Regular 120 ohm 0.1% 25ppm
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1984
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von IPB120N06S4H1ATMA2 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    3,09 $
    3,09 $
    10
    2,62 $
    26,20 $
    100
    2,27 $
    227,00 $
    250
    2,16 $
    540,00 $
    500
    1,93 $
    965,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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