BSC059N03S G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

17.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.27 mm

Länge:

5.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

3.8 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.8 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.7 ns

Teil # Aliase:

BSC059N03SGXT

Tags

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