SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3
Mfr. #:
SIR168DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIR168DP-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
IC-Chips
Serie
SIRxxxDP
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SIR168DP-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
34.7 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
40 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
4.4 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SIR16, SIR1, SIR
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 25.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
***
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:40A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0044ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.4V; Power Dissipation, Pd:5W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIR168DP-T1-GE3
DISTI # SIR168DP-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
  • 3000:$0.4389
SIR168DP-T1-GE3
DISTI # 781-SIR168DP-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
    SIR168DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10VAmericas -
      Bild Teil # Beschreibung
      SIR168DP-T1-GE3

      Mfr.#: SIR168DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIR168DP-T1-GE3-VISHAY

      IGBT Transistors MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V
      SIR168DP

      Mfr.#: SIR168DP

      OMO.#: OMO-SIR168DP-1190

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