IXTY48P05T-TRL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Typ:

GrabenP

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Spule

Aufbau:

Single

Marke:

IXYS

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Abfallzeit:

13 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

- 48 A

Pd - Verlustleistung:

150 W

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Handelsname:

GrabenP

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

- 50 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 4.5 V

Tags

IXTY4, IXTY, IXT