BSB008NE2LXXUMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WDSON-2-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

180 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

600 uOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

343 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

89 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

6.35 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.05 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

120 S

Abfallzeit:

32.4 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

47.2 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

75 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.6 ns

Teil # Aliase:

BSB8NE2LXXT SP000880866

Tags

BSB00, BSB0, BSB