CSD19533Q5AT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSONP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

27 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

96 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

6 mm

Serie:

CSD19533Q5A

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.9 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

63 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Tags

CSD19533Q, CSD19533, CSD1953, CSD19, CSD1, CSD