FQB7N60TM_WS

FQB7N60TM_WS
Mfr. #:
FQB7N60TM_WS
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 600V 7.4A 1Ohm N-Channel
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FQB7N60TM_WS Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Gewichtseinheit
1312 g
Montageart
SMD/SMT
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Paket-Koffer
TO-252-3
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
3.13 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
60 ns
Anstiegszeit
80 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
30 V
ID-Dauer-Drain-Strom
7.4 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
1 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
65 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
30 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
FQB7N60T, FQB7N60, FQB7N6, FQB7N, FQB7, FQB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
***emi
N-Channel QFET® MOSFET 600V, 7.4A, 1Ω
***rchild Semiconductor
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FQB7N60TM-WS
DISTI # FQB7N60TM-WSTR-ND
ON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    FQB7N60TM-WS
    DISTI # FQB7N60TM-WSCT-ND
    ON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      FQB7N60TM-WS
      DISTI # FQB7N60TM-WSDKR-ND
      ON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        FQB7N60TM-WS
        DISTI # 512-FQB7N60TM_WS
        ON SemiconductorMOSFET 600V 7.4A 1Ohm N-Channel
        RoHS: Compliant
        0
          Bild Teil # Beschreibung
          FQB7N60TM-WS

          Mfr.#: FQB7N60TM-WS

          OMO.#: OMO-FQB7N60TM-WS

          MOSFET 600V 7.4A 1Ohm N-Channel
          FQB7N65CTM

          Mfr.#: FQB7N65CTM

          OMO.#: OMO-FQB7N65CTM

          MOSFET 650V 7A NCH MOSFET
          FQB7N60

          Mfr.#: FQB7N60

          OMO.#: OMO-FQB7N60-1190

          Neu und Original
          FQB7N60M

          Mfr.#: FQB7N60M

          OMO.#: OMO-FQB7N60M-1190

          Neu und Original
          FQB7N60TM-NL

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          Neu und Original
          FQB7N60TM-WS

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          OMO.#: OMO-FQB7N60TM-WS-ON-SEMICONDUCTOR

          MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
          FQB7N65

          Mfr.#: FQB7N65

          OMO.#: OMO-FQB7N65-1190

          Neu und Original
          FQB7N65C

          Mfr.#: FQB7N65C

          OMO.#: OMO-FQB7N65C-1190

          Neu und Original
          FQB7N65CTM

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          OMO.#: OMO-FQB7N65CTM-ON-SEMICONDUCTOR

          MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
          FQB7N60TM_WS

          Mfr.#: FQB7N60TM_WS

          OMO.#: OMO-FQB7N60TM-WS-317

          RF Bipolar Transistors MOSFET 600V 7.4A 1Ohm N-Channel
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