SI4403CDY-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

13.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

60 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

SI4

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

40 S

Abfallzeit:

40 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

101 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

SI4403C, SI4403, Si440, SI44, SI4