DMN6075S-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

120 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

12.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.15 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

Enhancement Mode MOSFET

Serie:

DMN60

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Enhancement Mode MOSFET

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.1 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

DMN6075, DMN607, DMN60, DMN6, DMN