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SI1917EDH-T1-E3

SI1917EDH-T1-E3
Mfr. #:
SI1917EDH-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI1917EDH-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR
Paket-Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Lieferanten-Geräte-Paket
SC-70-6 (SOT-363)
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
Leistung max
570mW
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
12V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
1A
Rds-On-Max-Id-Vgs
370 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
450mV @ 100μA (Min)
Gate-Lade-Qg-Vgs
2nC @ 4.5V
Tags
SI1917EDH-T, SI1917ED, SI1917, SI191, SI19, SI1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET P-CH 12V 1A 6-Pin SC-70 T/R
***eco
DUAL P-CH SC-70-6 (SOT-363) 12V 370MOHM @ 4.5V
*** Americas
MOSFET Dual P-channel,12 Vds, MOSFET
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:-1150mA; Drain Source Voltage, Vds:-12V; On Resistance, Rds(on):0.8ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-0.45V; Power Dissipation, Pd:570mW ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI1917EDH-T1-E3
DISTI # SI1917EDH-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI1917EDH-T1-E3
    DISTI # SI1917EDH-T1-E3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI1917EDH-T1-E3
      DISTI # SI1917EDH-T1-E3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI1917EDH-T1-E3
        DISTI # 781-SI1917EDH-E3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1965DH-T1-GE3
        RoHS: Compliant        		0
          SI1917EDH-T1
          DISTI # 781-SI1917EDH          		Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1965DH-T1-GE3
          RoHS: Not compliant          		0
            SI1917EDH-T1-E3Vishay Intertechnologies 3000
              Bild Teil # Beschreibung
              SI1917EDH

              Mfr.#: SI1917EDH

              OMO.#: OMO-SI1917EDH-1190

              		 Neu und Original
              SI1917EDH-T1

              Mfr.#: SI1917EDH-T1

              OMO.#: OMO-SI1917EDH-T1-1190

              		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1965DH-T1-GE3
              SI1917EDH-T1-E3

              Mfr.#: SI1917EDH-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI1917EDH-T1-E3-VISHAY

              		 MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
              SI1917EDH-T1-E3 (PB)

              Mfr.#: SI1917EDH-T1-E3 (PB)

              OMO.#: OMO-SI1917EDH-T1-E3-PB--1190

              		 Neu und Original
              SI1917EDH-T1-GE3

              Mfr.#: SI1917EDH-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI1917EDH-T1-GE3-1190

              		 Neu und Original
              SI1917EDHT1GE3

              Mfr.#: SI1917EDHT1GE3

              OMO.#: OMO-SI1917EDHT1GE3-1190

              		 Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
              SI1917ESH-T1

              Mfr.#: SI1917ESH-T1

              OMO.#: OMO-SI1917ESH-T1-1190

              		 Neu und Original
              Verfügbarkeit
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              0,00 $
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