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SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4830CDY-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4830CDY-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4830CDY-T1-E3 DatasheetSI4830CDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI4830CDY-T1-E3 Datasheet (P7-P9)SI4830CDY-T1-E3 Datasheet (P10-P12)SI4830CDY-T1-E3 Datasheet (P13-P14)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
IC-Chips
Serie
KLEINER FUSS
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI4830CDY-E3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
Aufbau
Dual mit Schottky-Diode
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
Leistung max
2.9W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
950pF @ 15V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 1mA
Gate-Lade-Qg-Vgs
25nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
12 ns
Anstiegszeit
12 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
5.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
20 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
18 ns 18 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
17 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI4830CDY-T, SI4830C, SI4830, SI483, SI48, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
*** Source Electronics
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
***
DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:8000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4830CDY-T1-E3
DISTI # SI4830CDY-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.5390
SI4830CDY-T1-E3
DISTI # SI4830CDY-T1-E3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI4830CDY-T1-E3
    DISTI # SI4830CDY-T1-E3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI4830CDY-T1-E3
      DISTI # 781-SI4830CDY-E3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
      RoHS: Compliant      		0
      • 1:$1.2300
      • 10:$1.0100
      • 100:$0.7740
      • 500:$0.6660
      • 1000:$0.5840
      SI4830CDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
      RoHS: Compliant      		Americas -
        Bild Teil # Beschreibung
        SI4830CDY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4830CDY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4830CDY-T1-GE3

        		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
        SI4830CDY-T1-E3

        Mfr.#: SI4830CDY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4830CDY-T1-E3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
        SI4830CDY

        Mfr.#: SI4830CDY

        OMO.#: OMO-SI4830CDY-1190

        		 Neu und Original
        SI4830CDY-T1

        Mfr.#: SI4830CDY-T1

        OMO.#: OMO-SI4830CDY-T1-1190

        		 Neu und Original
        SI4830CDY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4830CDY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4830CDY-T1-GE3-VISHAY

        		 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
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        Available
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        0,81 $
        10
        0,77 $
        7,68 $
        100
        0,73 $
        72,77 $
        500
        0,69 $
        343,60 $
        1000
        0,65 $
        646,80 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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