STP80PF55

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

190 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

9.15 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STP80PF55

Transistortyp:

1 P-Channel Power MOSFET

Typ:

MOSFET

Breite:

4.6 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

32 S

Abfallzeit:

80 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

190 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

165 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STP80P, STP80, STP8, STP