STW13NK80Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

650 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

230 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.15 mm

Länge:

15.75 mm

Serie:

STW13NK80Z

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

5.15 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

55 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns

Werkspackungsmenge:

600

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

95 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

33 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

STW13NK, STW13N, STW13, STW1, STW