TK2Q60D(Q)

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

PW-Mold2-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

60 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

7 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

TK2Q60D

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.3 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

200

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

TK2Q, TK2