IRF3710STRRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

D2PAK-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

57 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

23 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

86.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

3.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

HEXFET Leistungs-MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

47 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

58 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

SP001561740

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRF3710STRR, IRF3710ST, IRF3710S, IRF3710, IRF371, IRF37, IRF3, IRF