IXTA4N150HV

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263HV-2

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.5 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

375 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

280 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

43 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

184 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

44 ns

Tags

IXTA4N, IXTA4, IXTA, IXT