DMN1023UCB4-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

U-WLB1010-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

23 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

0.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8 S

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Tags

DMN102, DMN10, DMN1, DMN