EM6K7T2CR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Tags

EM6K7T2, EM6K7T, EM6K7, EM6K, EM6