ZXMN2B03E6TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

40 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

14.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZXMN2

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.8 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

6.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.2 ns

Gewichtseinheit:

0.000529 oz

Tags

ZXMN2B03, ZXMN2B0, ZXMN2B, ZXMN2, ZXMN, ZXM