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SI4834CDY-T1-E3

SI4834CDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4834CDY-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4834CDY-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4834CDY-T1-E3 DatasheetSI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P7-P9)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P10-P12)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P13-P15)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI4834CDY-E3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
Aufbau
Dual mit Schottky-Diode
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
2.9W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
950pF @ 15V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 1mA
Gate-Lade-Qg-Vgs
25nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
10 ns
Anstiegszeit
12 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
7.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
20 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
19 ns 18 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
17 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI4834C, SI4834, SI483, SI48, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:8000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7.5A; On State Resistance:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Max Junction Temperature, Tj:150°C; Power Dissipation Pd:1.1W; Rise Time:10ns; Voltage, Vgs th Max:3V; Voltage, Vgs th Min:0.8V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4834CDY-T1-E3
DISTI # SI4834CDY-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.5390
SI4834CDY-T1-E3
DISTI # 781-SI4834CDY-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.2300
  • 10:$1.0100
  • 100:$0.7740
  • 500:$0.6660
  • 1000:$0.5840
SI4834CDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
RoHS: Compliant		Americas -
    Bild Teil # Beschreibung
    SI4834CDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-GE3

    		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
    SI4834CDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-GE3-VISHAY

    		 IGBT Transistors MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
    SI4834CDY-T1-E3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-E3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
    SI4834CDY

    Mfr.#: SI4834CDY

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-1190

    		 Neu und Original
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    72,77 $
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    0,65 $
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