DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7
Mfr. #:
DMN63D1LT-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DMN63D1LT-7 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
DMN63D1LT-7 DatasheetDMN63D1LT-7 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Eingebaute Dioden
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-523-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
320 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
2 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
392 pC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
330 mW
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Eingebaute Dioden
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
80 mS
Abfallzeit:
9.9 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
3.4 ns
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
15.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
3.9 ns
Gewichtseinheit:
0.000071 oz
Tags
DMN63D1, DMN63D, DMN63, DMN6, DMN
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R 3K
***i-Key
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Bild Teil # Beschreibung
DMN63D8LW-13

Mfr.#: DMN63D8LW-13

OMO.#: OMO-DMN63D8LW-13

MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
DMN63D8LDW-13

Mfr.#: DMN63D8LDW-13

OMO.#: OMO-DMN63D8LDW-13

MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
DMN63D1LDW-13

Mfr.#: DMN63D1LDW-13

OMO.#: OMO-DMN63D1LDW-13

MOSFET MOSFET BVDSS
DMN63D1LDW-7

Mfr.#: DMN63D1LDW-7

OMO.#: OMO-DMN63D1LDW-7-DIODES

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
DMN63D8LW-13

Mfr.#: DMN63D8LW-13

OMO.#: OMO-DMN63D8LW-13-DIODES

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN63D8LW-7

Mfr.#: DMN63D8LW-7

OMO.#: OMO-DMN63D8LW-7-DIODES

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN63D9LV-7

Mfr.#: DMN63D9LV-7

OMO.#: OMO-DMN63D9LV-7-1190

Neu und Original
DMN63D8LV-7-CUT TAPE

Mfr.#: DMN63D8LV-7-CUT TAPE

OMO.#: OMO-DMN63D8LV-7-CUT-TAPE-1190

Neu und Original
DMN63D8LV-7

Mfr.#: DMN63D8LV-7

OMO.#: OMO-DMN63D8LV-7-DIODES

Darlington Transistors MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
DMN63D8LDW-7

Mfr.#: DMN63D8LDW-7

OMO.#: OMO-DMN63D8LDW-7-DIODES

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
5500
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von DMN63D1LT-7 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
0,49 $
0,49 $
10
0,38 $
3,77 $
100
0,20 $
20,40 $
1000
0,15 $
153,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Neueste Produkte
Top