SI4804BDY-T1-E3

Mfr. #:: SI4804BDY-T1-E3
Hersteller:: Vishay
Beschreibung:: IGBT Transistors MOSFET 30V 7.5A 2W
Lebenszyklus:: Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:: SI4804BDY-T1-E3 Datenblatt
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HTML Datasheet:: SI4804BDY-T1-E3 Datasheet SI4804BDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:

Produkteigenschaft
Attributwert

Hersteller: Vishay Siliconix

Produktkategorie: FETs - Arrays

Serie: GrabenFETR

Verpackung: Digi-ReelR

Teil-Aliasnamen: SI4804BDY-E3

Gewichtseinheit: 0.006596 oz

Montageart: SMD/SMT

Paket-Koffer: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technologie: Si

Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart: Oberflächenmontage

Anzahl der Kanäle: 2 Channel

Lieferanten-Geräte-Paket: 8-SO

Aufbau: Dual

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)

Leistung max: 1.1W

Transistor-Typ: 2 N-Channel

Drain-zu-Source-Spannung-Vdss: 30V

Eingangskapazität-Ciss-Vds: -

FET-Funktion: Logik-Level-Gate

Strom-Dauer-Drain-Id-25°C: 5.7A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 3V @ 250μA

Gate-Lade-Qg-Vgs: 11nC @ 4.5V

Pd-Verlustleistung: 1.1 W

Maximale-Betriebstemperatur: + 150 C

Mindest-Betriebstemperatur: - 55 C

Abfallzeit: 10 ns

Anstiegszeit: 10 ns

Vgs-Gate-Source-Spannung: 20 V

ID-Dauer-Drain-Strom: 5.7 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Widerstand: 22 mOhms

Transistor-Polarität: N-Kanal

Typische-Ausschaltverzögerungszeit: 19 ns

Typische-Einschaltverzögerungszeit: 9 ns

Kanal-Modus: Erweiterung

Tags: SI4804BDY-T1-E, SI4804BDY-T, SI4804BDY, SI4804BD, SI4804B, SI4804, SI480, SI48, SI4

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SI4804BDY-T1-E3 Beschreibung

***th Star Micro: Transistor MOSFET N-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R

***ark: MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:7.5A; On Resistance, Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes

***nell: MOSFET, NN, REEL 2500; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7.5A; Resistance, Rds On:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:30A; N-channel Gate Charge:7nC; No. of Pins:8; Power, Pd:1.1W; Quantity, Reel:2500; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.022ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V N Channel:0.022ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.03ohm; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds Max:30V; Width, Tape:12mm

Market price

Teil #	Mfg.	Beschreibung	Aktie	Preis
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # SI4804BDY-T1-E3TR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 2500 Container: Tape & Reel (TR)	Limited Supply - Call
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # SI4804BDY-T1-E3CT-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Limited Supply - Call
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # SI4804BDY-T1-E3DKR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Limited Supply - Call
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # 781-SI4804BDY-E3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS: Compliant	0
SI4804BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	5700 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	1960	511:$0.3500 90:$0.3920 1:$1.1200
SI4804BDY-T1-E3	Vishay Siliconix		1344
SI4804BDYT1E3	Vishay Semiconductors	INSTOCK	1436

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Bild	Teil #	Beschreibung
	Mfr.#: SI4804BDY-T1-GE3 OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-GE3	MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
	Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3 OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3-VISHAY	IGBT Transistors MOSFET 30V 7.5A 2W
	Mfr.#: SI4804B OMO.#: OMO-SI4804B-1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI4804BDT-T1-E3 OMO.#: OMO-SI4804BDT-T1-E3-1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI4804BDY OMO.#: OMO-SI4804BDY-1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI4804BDY-T1 OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3 (PB) OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3-PB--1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3 GE3 OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3-GE3-1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3. OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3--1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI4804BDY-T1-GE3 OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-GE3-VISHAY	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

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