BD435STU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-126-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

32 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

32 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

3 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BD435

Höhe:

11 mm

Länge:

8 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

3.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

4 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

36 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1920

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

BD435STU_NL

Gewichtseinheit:

0.026843 oz

Tags

BD435, BD43, BD4