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DDTD122LC-7-F

DDTD122LC-7-F
Mfr. #:
DDTD122LC-7-F
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 500mW
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DDTD122LC-7-F Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Eingebaute Dioden
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
220 Ohms
Typisches Widerstandsverhältnis:
0.022
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-23-3
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
100
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
40 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
0.5 A
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
500 mA
Pd - Verlustleistung:
200 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
DDTD122
Verpackung:
Spule
DC-Stromverstärkung hFE Max:
600
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Höhe:
1 mm
Länge:
3.05 mm
Typ:
NPN Pre-Biased 500 ma SOT-23 Surface Mount Transistor
Breite:
1.4 mm
Marke:
Eingebaute Dioden
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Transistoren
Gewichtseinheit:
0.000282 oz
Tags
DDTD122L, DDTD122, DDTD12, DDTD1, DDTD, DDT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
***et Europe
Trans Digital BJT NPN 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
DDTD122LC-7-F
DISTI # DDTD122LC-FDITR-ND		Diodes IncorporatedTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.0557
DDTD122LC-7-F
DISTI # DDTD122LC-7-F		Diodes IncorporatedTrans Digital BJT NPN 500mA 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: DDTD122LC-7-F)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.0332
  • 6000:$0.0316
  • 12000:$0.0301
  • 18000:$0.0287
  • 30000:$0.0281
DDTD122LC-7-F
DISTI # 621-DDTD122LC-F		Diodes IncorporatedBipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 500mW
RoHS: Compliant		2339
  • 1:$0.3000
  • 10:$0.1980
  • 100:$0.0830
  • 1000:$0.0570
  • 3000:$0.0440
DDTD122LC-7
DISTI # 621-DDTD122LC		Diodes IncorporatedBipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 500mW
RoHS: Not compliant		0
    Bild Teil # Beschreibung
    CC1101RGPR

    Mfr.#: CC1101RGPR

    OMO.#: OMO-CC1101RGPR

    		 RF Transceiver Low-Power Sub-1GHz RF Transceiver
    TLV07IDR

    Mfr.#: TLV07IDR

    OMO.#: OMO-TLV07IDR

    		 Operational Amplifiers - Op Amps 36V CMOS OP AMP
    AP2112K-3.3TRG1

    Mfr.#: AP2112K-3.3TRG1

    OMO.#: OMO-AP2112K-3-3TRG1

    		 LDO Voltage Regulators 600mA CMOS LDO 50mA 3.3V 250mV
    ERJ-3EKF1001V

    Mfr.#: ERJ-3EKF1001V

    OMO.#: OMO-ERJ-3EKF1001V

    		 Thick Film Resistors - SMD 0603 1Kohms 1% AEC-Q200
    CSD19532KTTT

    Mfr.#: CSD19532KTTT

    OMO.#: OMO-CSD19532KTTT

    		 MOSFET 100V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
    ERJ-3GEY0R00V

    Mfr.#: ERJ-3GEY0R00V

    OMO.#: OMO-ERJ-3GEY0R00V

    		 Thick Film Resistors - SMD 0603 Zero Ohms
    CSD19532KTTT

    Mfr.#: CSD19532KTTT

    OMO.#: OMO-CSD19532KTTT-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 MOSFET N-CH 100V TO-263-3
    04026D105KAT2A

    Mfr.#: 04026D105KAT2A

    OMO.#: OMO-04026D105KAT2A-AVX

    		 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 1uF 6.3volts X5R 10%
    AP2112K-3.3TRG1

    Mfr.#: AP2112K-3.3TRG1

    OMO.#: OMO-AP2112K-3-3TRG1-DIODES

    		 LDO Voltage Regulators 600mA CMOS LDO 50mA 3.3V 250mV
    ERJ-3GEY0R00V

    Mfr.#: ERJ-3GEY0R00V

    OMO.#: OMO-ERJ-3GEY0R00V-PANASONIC

    		 Thick Film Resistors - SMD 0603 Zero Ohms
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1987
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    0,29 $
    0,29 $
    10
    0,20 $
    1,98 $
    100
    0,08 $
    8,30 $
    1000
    0,06 $
    57,00 $
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