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E3M0280090D

E3M0280090D
Mfr. #:
E3M0280090D
Hersteller:
N/A
Beschreibung:
MOSFET 900V 280mOhms G3 SiC MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
E3M0280090D Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
E3M0280090D Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Cree, Inc.
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
SiC
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
900 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
11.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
364 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.7 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
18 V, - 8 V
Qg - Gate-Ladung:
9.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
54 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Wolfspeed / Cree
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
3.6 S
Abfallzeit:
7.5 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
10 ns
Werkspackungsmenge:
600
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
17.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
26 ns
Tags
E3M0, E3M
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
E-Series AEC-Q101 Silicon Carbide MOSFETs & Diodes
Wolfspeed / Cree E-Series AEC-Q101 Silicon Carbide MOSFETs and Diodes are robust SiC semiconductor devices that are automotive qualified for Electric Vehicles (EV) and renewable energy markets. Wolfspeed's E-Series is also PPAP capable and delivers the highest available power density and durability. The E series is ideal for on-board automotive power conversion systems, off-board charging, solar inverters and other outdoor applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
E3M0280090D
DISTI # V99:2348_22338929		Cree, Inc.E-Series 900V, 280 mOhm, G3 SiC MOSFET594
  • 25:$3.5240
  • 10:$3.5840
  • 1:$4.3802
E3M0280090D
DISTI # E3M0280090D-ND		WolfspeedE-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		581In Stock
  • 1:$4.1900
E3M0280090D
DISTI # 32023206		Cree, Inc.E-Series 900V, 280 mOhm, G3 SiC MOSFET579
  • 25:$3.5240
  • 10:$3.5840
  • 2:$4.3802
E3M0280090D
DISTI # 71AC0356		WolfspeedMOSFET, N-CH, 900V, 11.5A, 150DEG C, 54W,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:11.5A,Drain Source Voltage Vds:900V,On Resistance Rds(on):0.28ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:15V,Threshold Voltage Vgs:2.1V,PowerRoHS Compliant: Yes561
  • 1:$4.5500
E3M0280090D
DISTI # 941-E3M0280090D		Cree, Inc.MOSFET 900V 280mOhms G3 SiC MOSFET
RoHS: Compliant		585
  • 1:$3.9900
E3M0280090D
DISTI # 2916498		WolfspeedMOSFET, N-CH, 900V, 11.5A, 150DEG C, 54W
RoHS: Compliant		563
  • 100:£3.0700
  • 50:£3.1200
  • 10:£3.1700
  • 5:£3.2200
  • 1:£3.2700
E3M0280090D
DISTI # 2916498		WolfspeedMOSFET, N-CH, 900V, 11.5A, 150DEG C, 54W
RoHS: Compliant		561
  • 1:$8.9000
Bild Teil # Beschreibung
E3M0065090D

Mfr.#: E3M0065090D

OMO.#: OMO-E3M0065090D

 MOSFET 900V 65mOhms G3 SiC MOSFET
C3M0075120D

Mfr.#: C3M0075120D

OMO.#: OMO-C3M0075120D

 MOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
E3M0120090D

Mfr.#: E3M0120090D

OMO.#: OMO-E3M0120090D

 MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET
FFSP1065A

Mfr.#: FFSP1065A

OMO.#: OMO-FFSP1065A

 Schottky Diodes & Rectifiers SIC TO220 SBD 10A 650V
FFSP1665A

Mfr.#: FFSP1665A

OMO.#: OMO-FFSP1665A

 Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A SIC SBD
FFSP0665A

Mfr.#: FFSP0665A

OMO.#: OMO-FFSP0665A

 Schottky Diodes & Rectifiers SIC TO220 SBD 6A 650V
FFSP0865A

Mfr.#: FFSP0865A

OMO.#: OMO-FFSP0865A

 Schottky Diodes & Rectifiers SIC TO220 SBD 8A 650V
FFSP10120A

Mfr.#: FFSP10120A

OMO.#: OMO-FFSP10120A

 Schottky Diodes & Rectifiers TranSic_HV
E3M0065090D

Mfr.#: E3M0065090D

OMO.#: OMO-E3M0065090D-WOLFSPEED

 E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M
E3M0120090D

Mfr.#: E3M0120090D

OMO.#: OMO-E3M0120090D-WOLFSPEED

 E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC
Verfügbarkeit
Aktie:
530
Auf Bestellung:
2513
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