NTZD3155CT2G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

540 mA, 430 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

6 V

Qg - Gate-Ladung:

1.5 nC, 1.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.55 mm

Länge:

1.6 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTZD3155C

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

1.2 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1 S

Abfallzeit:

8 ns, 19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns, 12 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16 ns, 35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns, 10 ns

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

NTZD3155CT, NTZD3155, NTZD3, NTZD, NTZ