ISL9N302AS3ST

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

75 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.9 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

345 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

120 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

29 ns

Teil # Aliase:

ISL9N302AS3ST_NL

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

ISL9N302AS3S, ISL9N302AS, ISL9N302A, ISL9N302, ISL9N30, ISL9N3, ISL9N, ISL9, ISL