ECH8501-TL-H

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ECH-8

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V, - 30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

75 mV, - 100 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

30 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

260 MHz, 280 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ECH8501

DC-Stromverstärkung hFE Max:

560 at 500 mA, 2 V

Verpackung:

Spule

Marke:

ON Semiconductor

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 500 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1.6 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000638 oz

Tags

ECH85, ECH8, ECH