SUP70101EL-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

125 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

375 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

SUP

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

60 S

Abfallzeit:

40 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

110 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

SUP70, SUP7, SUP