SIHD3N50DT4-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

12 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

69 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Serie:

D

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1 S

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Tags

SIHD3N50DT, SIHD3, SIHD, SIH