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SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3
Mfr. #:
SIHW33N60E-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHW33N60E-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIHW33N60E-GE3 DatasheetSIHW33N60E-GE3 Datasheet (P4-P6)SIHW33N60E-GE3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SIHW33N60E-GE3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247AD-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
33 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
99 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
100 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
278 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Serie:
E
Marke:
Vishay / Siliconix
Abfallzeit:
54 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
60 ns
Werkspackungsmenge:
480
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
99 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
28 ns
Gewichtseinheit:
1.340411 oz
Tags
SIHW3, SIHW, SIH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
MOSFET, N CH, 600V, 33A, TO-247AD-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***
N-CH 600V TO-247
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
E Series High Voltage MOSFETs
Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific ON-Resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low ON-resistance (RDS(on)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). The E series MOSFETs are also available in 850VDS high voltage variants with 3A drain current (ID), low RDS(ON) of 0.82Ω, and low gate charge (Qg). These high-performance MOSFETs come in different packages like TO-247AC, TO-220AB, TO-220 FULLPAK, TO-247AC, D2PAK (TO-263), IPAK (TO-251), DPAK (TO-252), and IPAK (TO-251). Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIHW33N60E-GE3
DISTI # 19270292		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant		134
  • 19:$4.1077
SIHW33N60E-GE3
DISTI # SIHW33N60E-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 2880:$3.3516
  • 960:$4.1832
  • 480:$4.6620
  • 25:$5.6700
  • 10:$5.9980
  • 1:$6.6800
SIHW33N60E-GE3
DISTI # SIHW33N60E-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin TO-247AD - Tape and Reel (Alt: SIHW33N60E-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Reel		Americas - 0
    SIHW33N60E-GE3
    DISTI # 68W7077    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AD-3,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:33A,Drain Source Voltage Vds:600V,On Resistance Rds(on):0.083ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2V RoHS Compliant: Yes134
    • 1:$2.8300
    • 10:$2.8300
    • 25:$2.8300
    • 50:$2.8300
    • 100:$2.8300
    • 500:$2.8300
    • 1000:$2.8300
    • 2500:$2.8300
    SIHW33N60E-GE3
    DISTI # 78-SIHW33N60E-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
    RoHS: Compliant    		480
    • 1:$6.7200
    • 10:$5.5600
    • 100:$4.5800
    • 250:$4.4400
    • 500:$3.9800
    • 1000:$3.3600
    • 2500:$3.1900
    SIHW33N60E-GE3Vishay Intertechnologies 394
      SIHW33N60E-GE3
      DISTI # 2311569      		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AD-3
      RoHS: Compliant      		145
      • 1:$5.5500
      SIHW33N60E-GE3
      DISTI # 2311569      		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AD-3
      RoHS: Compliant      		134
      • 100:£4.2000
      • 50:£4.5000
      • 25:£4.8000
      • 10:£5.0900
      • 1:£6.1500
      SIHW33N60E-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
      RoHS: Compliant      		Americas -
        Bild Teil # Beschreibung
        SIHW33N60E-GE3

        Mfr.#: SIHW33N60E-GE3

        OMO.#: OMO-SIHW33N60E-GE3

        		 MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
        SIHW33N60E

        Mfr.#: SIHW33N60E

        OMO.#: OMO-SIHW33N60E-1190

        		 Neu und Original
        SIHW33N60E-GE3

        Mfr.#: SIHW33N60E-GE3

        OMO.#: OMO-SIHW33N60E-GE3-VISHAY

        		 MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        480
        Auf Bestellung:
        2463
        Menge eingeben:
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        Referenzpreis (USD)
        Menge
        Stückpreis
        ext. Preis
        1
        6,72 $
        6,72 $
        10
        5,56 $
        55,60 $
        100
        4,58 $
        458,00 $
        250
        4,44 $
        1 110,00 $
        500
        3,98 $
        1 990,00 $
        1000
        3,36 $
        3 360,00 $
        2500
        3,19 $
        7 975,00 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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