DMN3112S-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

92 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN3112S

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.7 S

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

DMN3112, DMN311, DMN31, DMN3, DMN