IRF2807ZSTRRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

280 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

160 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

330 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

130 S

Abfallzeit:

130 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

120 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Teil # Aliase:

SP001563194

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRF2807ZST, IRF2807ZS, IRF2807Z, IRF2807, IRF28, IRF2, IRF