QPD2730

QPD2730
Mfr. #:
QPD2730
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD2730 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
QPD2730 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
16 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
48 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
210 mA
Ausgangsleistung:
36 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
55 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
18.6 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
NI780-4
Verpackung:
Waffel
Aufbau:
Dual
Arbeitsfrequenz:
2.575 GHz to 2.635 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marke:
Qorvo
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
Transistoren
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 2.7 V, - 4.75 V
Teil # Aliase:
1131813
Tags
QPD273, QPD27, QPD2, QPD
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Transistor, Power, 2.575 - 2.635 GHz, 53.5 dBm, 15.9 dB, 48 V, GaN, N-780 Ceramic Pkg
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
QPD2730
DISTI # 772-QPD2730
QorvoRF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
RoHS: Compliant
26
  • 1:$165.5500
  • 25:$144.4800
Bild Teil # Beschreibung
QPD1008L

Mfr.#: QPD1008L

OMO.#: OMO-QPD1008L

RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
QPD2796

Mfr.#: QPD2796

OMO.#: OMO-QPD2796

RF JFET Transistors 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
QPD1019

Mfr.#: QPD1019

OMO.#: OMO-QPD1019

RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
QPD2195SR

Mfr.#: QPD2195SR

OMO.#: OMO-QPD2195SR

RF JFET Transistors 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
QPD1025L

Mfr.#: QPD1025L

OMO.#: OMO-QPD1025L-1152

RF JFET Transistors 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
QPDD740001401

Mfr.#: QPDD740001401

OMO.#: OMO-QPDD740001401-1190

Neu und Original
QPDS-9922-200

Mfr.#: QPDS-9922-200

OMO.#: OMO-QPDS-9922-200-1190

Neu und Original
QPDS-T905

Mfr.#: QPDS-T905

OMO.#: OMO-QPDS-T905-1190

Neu und Original
QPDS-T907

Mfr.#: QPDS-T907

OMO.#: OMO-QPDS-T907-1190

Neu und Original
QPD1009-EVB1

Mfr.#: QPD1009-EVB1

OMO.#: OMO-QPD1009-EVB1-1152

RF Development Tools DC-4GHz 15W 28-50V Eval Board
Verfügbarkeit
Aktie:
26
Auf Bestellung:
2009
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von QPD2730 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
165,55 $
165,55 $
25
144,48 $
3 612,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Top