SSM6P35AFU,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

- 20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

- 250 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 0.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 4.5 V

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

285 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

SSM6P35AFU

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

145 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

42 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

420 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Tags

SSM6P35A, SSM6P35, SSM6P3, SSM6P, SSM6, SSM