RT1E050RPTR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSST-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

26 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

13 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

RT1E050RP

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

RT1E050RP

Tags

RT1E05, RT1E, RT1